苏州赛锐思半导体有限公司

技术优势

高频

GaN HEMT器件最高开关频率可达2MHz

高效

氮化镓(GaN)技术的应用显著提高了充电器的效率，‌降低了能耗。‌这种技术通过降低开关损耗和导通阻抗，‌提高了充电器的效率，‌减少了发热，‌从而实现了更小的充电器体积。‌自主研发的合封氮化镓芯片，‌将控制器与氮化镓器件集成，‌支持QR/DCM模式，‌进一步简化了设计，‌提升了整体方案的性能，‌减少了PCB板的占用，‌缩小了尺寸并降低了物料成本

节能

氮化镓(GaN)技术的应用显著提高了充电器的效率，‌降低了能耗。‌这种技术通过降低开关损耗和导通阻抗，‌提高了充电器的效率，‌减少了发热。

产品中心

全部

HV GaN FETS
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- SRS5833EA
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SR+MOS

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